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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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SPB80N03S2L-05 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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SPB80N03S2L-05詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫歐 @ 55A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 110µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：89.7nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：3320pF @ 25V
功率_最大：167W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-TO263-3
包裝：帶卷 (TR)

SPB80N03S2L-05 G詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：30V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：80A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.9 毫歐 @ 55A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 110µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：89.7nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：3320pF @ 25V
功率_最大：167W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝：P-TO263-3
包裝：帶卷 (TR)

SPB80N03S2L-05供應(yīng)商

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