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STB25NM60N詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：21A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：84nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 50V; 功率_最大：160W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

STB25NM60N詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：21A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：84nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 50V; 功率_最大：160W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

STB25NM60N-1詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK; 系列：MDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：21A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：84nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 50V; 功率_最大：160W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：I2PAK; 包裝：管件

STB25NM60ND詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：21A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 50V; 功率_最大：160W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

STB25NM60ND詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：21A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 50V; 功率_最大：160W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

STB25NM60ND詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK; 系列：FDmesh™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：21A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：160 毫歐 @ 10.5A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：80nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2400pF @ 50V; 功率_最大：160W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

SY100E137JZ
邏輯 -計數器，除法器 Micrel Inc 28-LCC（J 形引線） IC COUNTER RIPPLE 8BIT 28-PLCC
STL65DN3LLH5
FET - 陣列 STMicroelectronics 8-PowerVDFN MOSFET N-CH POWERFLAT
VE-JT0-IX-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 BusMod CONVERTER MOD DC/DC 5V 75W
STB25NM60N
FET - 單 STMicroelectronics TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
T491X227M010ZT
鉭 Kemet 2917（7343 公制） CAP TANT 220UF 10V 20% 2917
ZS-XC15CR
配件 Omron Electronics Inc-IA Div ZS-H SENSOR EXTENSION CABLE
VJ1206A150JBRAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 15PF 1.5KV 5% NP0 1206
VI-J4Y-MX-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 49.5W
SY100E143JZ
邏輯 - 移位寄存器 Micrel Inc 28-LCC（J 形引線） IC REGISTER HOLD 9BIT 28PLCC
VE-JT0-IX-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5V 75W
T491X336M035AT
鉭 Kemet CAP TANT 33UF 35V 20% SMD
ZS-XC15CR
配件 Omron Electronics Inc-IA Div ZS-H SENSOR EXTENSION CABLE
VJ1206A150JXACW1BC
陶瓷 Vishay BC Components 1206（3216 公制） CAP CER 15PF 50V 5% NP0 1206
VI-J4Y-MX-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 3.3V 49.5W
VE-JT0-IY-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9 針半磚 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5V 50W

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