TPC8117(TE12L,Q)詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
- 系列：-
- 制造商：Toshiba
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.9 毫歐 @ 9A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 1mA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：130nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4600pF @ 10V
- 功率_最大：-
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）
- 供應商設備封裝：8-SOP（5.5x6.0）
- 包裝：帶卷 (TR)
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.20K OHM 1/2W 0.1% 2512
- FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
- 電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 100UF 10V 20% RADIAL
- FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
- 溫度探頭 US Sensor 徑向，Can THERMISTOR NTC 10K 1% PIPE PROBE
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.20K OHM 1/2W 0.1% 2512
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 7.50K OHM 1/3W 0.1% 1210
- 電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 220UF 10V 20% RADIAL
- FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） MOSFET P-CH SNGL -30V -10A SOP-8
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 2.21K OHM 1/2W 0.1% 2512
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 1210（3225 公制） RES 7.87K OHM 1/3W 0.1% 1210
- 其它 B&B Electronics - CONVERTER USB TO RS-422/485
- 電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 4700UF 10V 20% RADIAL
- FET - 單 Toshiba 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 40V 5A 8SOP
- 電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 6800UF 10V 20% RADIAL
075582796732 
0755-23999932 
