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RT1206DRE07330RL詳細規格: 類別：芯片電阻 - 表面安裝; 描述：RES 330 OHM 1/4W .5% SMD 1206; 系列：RT; 制造商：Yageo; 電阻333Ω444：330; 功率333W444：0.25W，1/4W; 成分：薄膜; 特性：-; 溫度系數：±50ppm/°C; 容差：±0.5%; 封裝/外殼：1206（3216 公制）; 供應商器件封裝：1206; 大小/尺寸：0.122" L x 0.063" W（3.10mm x 1.60mm）; 高度：0.026"（0.65mm）; 端子數：2; 包裝：帶卷 (TR)

RT1206DRE07330RL供應商

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SK38-TP
單二極管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AB，SMC RECT SCHOTTKY 3A 80V DO-214AB
SSQE48T20025-NABNG
DC DC Converters Power-One DC/DC SIXTEENTH BRICK
RT1206DRE07330KL
芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206（3216 公制） RES 330K OHM 1/4W .5% SMD 1206
RYM12DTBS-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
SI4435DY
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
SMAJ11A-E3/61
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 400W 11V 5% SMA
SI5853DC-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
SK3R3M350ST
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can CAP ALUM 3.3UF 350V 20% RADIAL
SI7384DP-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V 11A PPAK 8SOIC
SI4436DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
RYM12DTBT-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
SI5855CDC-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引線 MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 1206-8
SMAJ11AHE3/5A
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 400W 11V 5% SMA
SI7384DP-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC
SK3R3M400ST
電容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 徑向，Can CAP ALUM 3.3UF 400V 20% RADIAL