SK3R3M350ST 全國供應商、價格、PDF資料
SK3R3M350ST詳細規格
- 類別:電容器
- 描述:CAP ALUM 3.3UF 350V 20% RADIAL
- 系列:SK
- 制造商:Cornell Dubilier Electronics (CDE)
- 電容:3.3µF
- 額定電壓:350V
- 容差:±20%
- 壽命0a0溫度:85°C 時為 2000 小時
- 工作溫度:-25°C ~ 85°C
- 特點:通用
- 紋波電流:35mA
- ESR(等效串聯電阻):80.42 歐姆
- 阻抗:-
- 安裝類型:通孔
- 封裝/外殼:徑向,Can
- 尺寸/尺寸:0.394" 直徑(10.00mm)
- 高度_座高(最大):0.512"(13.00mm)
- 引線間隔:0.197"(5.00mm)
- 表面貼裝占地面積:-
- 包裝:散裝
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V PPAK 8SOIC
- FET - 陣列 Vishay Siliconix PowerPAK? CHIPFET? 雙 MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC,SMA TVS UNIDIR 300W 110V 10% SMA
- 單二極管/整流器 Micro Commercial Co DO-214AB,SMC RECT SCHOTTKY 3A 80V DO-214AB
- DC DC Converters Power-One DC/DC SIXTEENTH BRICK
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206(3216 公制) RES 330K OHM 1/4W .5% SMD 1206
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
- TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC,SMA TVS UNIDIR 400W 11V 5% SMA
- FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V 11A PPAK 8SOIC
- DC DC Converters Power-One 8-DIP 模塊,1/16 磚 CONVERTER DC-DC 3.3V 20A
- 芯片電阻 - 表面安裝 Yageo 1206(3216 公制) RES 330 OHM 1/4W .5% SMD 1206
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 24POS R/A .156 SLD
- FET - 單 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引線 MOSFET P-CH/SCHOTTKY 20V 1206-8